半导体材料

化合物半导体：

磷化铟（InP）：用于制造 5G 基站的射频器件、激光雷达（LiDAR）的发射器、光纤通信中的激光器和探测器，是光电子和高频电子领域的核心材料。

砷化铟（InAs）、锑化铟（InSb）：用于红外探测器、量子计算元件和高速集成电路。

集成电路封装：

铟焊料（如铟 - 锡合金）因低熔点（约 156℃）、高可靠性和抗腐蚀性，用于芯片与基板的连接（如倒装芯片技术），尤其在航空航天和军工领域不可替代。

精铟的市场与资源现状

全球产量

精铟年产量约 500~600 吨，主要生产国为中国（占全球 60% 以上）、韩国、日本和加拿大。

价格趋势

受供需关系影响，精铟（4N 纯度）价格通常在 800~1200 美元 / 千克，6N 高纯铟可达 2000~3000 美元 / 千克。

资源挑战

铟为稀散金属，主要伴生于锌矿（含铟 0.001%~0.1%），全球储量约 5 万吨，且开采成本高。因此，从废旧显示屏和半导体废料中回收精铟（回收率可达 85% 以上）成为重要补充途径。

精铟凭借其超高纯度和独特物理化学性质，成为支撑现代电子信息、新能源和科技的 “战略金属”。随着 5G、量子计算和可再生能源技术的爆发，精铟的需求将持续增长，其供应链和回收利用技术也将成为全球关注的焦点。

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