物理特性：铟靶材呈银色光泽的灰色，熔点为 156.61℃，沸点 2060℃，密度 7.3 g/cm³。质地非常软，能用指甲刻痕，可塑性强，有良好的延展性，可压成片。

化学特性：铟具有较好的化学稳定性，但在一些特定的环境下，如高温、强酸碱等条件下，可能会发生化学反应。铟化合物在真空下蒸发，能够在电子产品和光伏电池生产中形成薄膜。

化合物半导体器件

场景：用于制造铟镓砷（InGaAs）、铟磷（InP）等化合物半导体芯片，广泛应用于 5G 通信基站、雷达、光纤通信等高频电子设备。

作用：提升器件的高频性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

存储环境控制

温湿度：存储于干燥、恒温环境（温度 15~25℃，湿度≤40% RH），避免铟靶吸潮氧化（铟在潮湿空气中易生成 In₂O₃薄膜，影响溅射效率）。

防尘防潮：用铝箔或真空袋密封包装，存放于洁净柜中，防止灰尘附着或与其他化学物质接触。

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