光学领域：用于制造反射率与银镜一样高但不会褪色的镜，还可用于制造其他光学器件，如滤光片、光通信器件等。

其他领域：可用于制造低熔点合金，如 24％铟和 76％镓的合金在室温下为液态，此外，还可用于制造整流器、热敏电阻和光电导体等电气组件。

铟靶是现代电子信息、新能源、高端制造等战略性新兴产业的底层关键材料，其应用深度和广度直接反映一个国家在半导体、显示、光伏等领域的技术水平。由于全球铟资源稀缺（主要伴生于锌矿），且提纯工艺复杂，铟靶的供应链已成为各国关注的重点。未来，随着 5G、AI、新能源汽车等产业的爆发，铟靶的需求将持续增长，同时推动高纯铟（99.999% 以上）制备技术的不断突破。

功率与温度管理

溅射功率：

铟的溅射阈值较低（约 10 eV），起始功率不宜过高（建议从 50 W 逐步递增），避免瞬间过热导致靶材熔融或飞溅（铟熔点仅 156.6℃，过热易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影响均匀性）。

直流溅射功率密度通常为 1~5 W/cm²，射频溅射可适当提高至 5~10 W/cm²。

靶材冷却：

采用水冷靶架（水温控制在 15~25℃），确保溅射过程中靶材温度低于 80℃（高温会导致铟原子扩散加剧，影响薄膜结晶质量）。

定期检查冷却水路是否通畅，避免因散热不良导致靶材变形或脱靶。

溅射时间与沉积厚度

厚度监控：使用石英晶体微天平（QCM）实时监测薄膜沉积速率，结合靶材消耗速率（约 0.1~0.5 μm/min，与功率相关），控制溅射时间。

靶材利用率：避免过度溅射导致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 时需及时更换），通常平面靶材利用率约 30%~40%，旋转靶可提升至 60% 以上。