化合物半导体器件

场景：用于制造铟镓砷（InGaAs）、铟磷（InP）等化合物半导体芯片，广泛应用于 5G 通信基站、雷达、光纤通信等高频电子设备。

作用：提升器件的高频性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

固态电池与储能技术

前沿应用：铟作为固态电解质的界面改性材料，改善电极与电解质的接触阻抗，提升固态电池的循环寿命和性。

溅射时间与沉积厚度

厚度监控：使用石英晶体微天平（QCM）实时监测薄膜沉积速率，结合靶材消耗速率（约 0.1~0.5 μm/min，与功率相关），控制溅射时间。

靶材利用率：避免过度溅射导致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 时需及时更换），通常平面靶材利用率约 30%~40%，旋转靶可提升至 60% 以上。

小金属：粗铟，精铟，ito铟靶材，粗稼，金属镓99.99以及废料。高价回收镍片，铣刀， 数控刀片， 轻质数控刀，废合金针，针尖，铟.铟丝.氧化铟.

高价回收镍片，镍泥，镍催化剂，含镍物料，铣刀， 数控刀片， 轻质数控刀，废合金针，针尖，高价 回收 ( 钽 ) 钽丝 钽粉 钽电容 钽铌 钽钨 ，铟.铟丝.氧化铟.金.金属锗.锗锭99.999等.